公开/公告号CN104362146A
专利类型发明专利
公开/公告日2015-02-18
原文格式PDF
申请/专利权人 佛山芯光半导体有限公司;
申请/专利号CN201410662021.X
申请日2014-11-19
分类号H01L25/18(20060101);H01L29/872(20060101);
代理机构
代理人
地址 528226 广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地核心区内A区7座三层302
入库时间 2023-12-17 03:57:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-12-15
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L25/18 申请公布日:20150218 申请日:20141119
发明专利申请公布后的视为撤回
2015-06-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L25/18 申请日:20141119
实质审查的生效
2015-02-18
公开
公开
机译: GaN / GaN器件与FET /肖特基二极管集成在一起
机译: 阳极部分凹陷的GaN基肖特基二极管
机译: 具有大键合焊盘和降低的接触电阻的GaN基肖特基二极管