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宋豫秦;
西安电子科技大学;
GaN; 肖特基势垒; 管材料;
机译:使用热稳定的TiN阳极GaN肖特基势垒二极管的温度传感器用于大功率器件应用
机译:具有嵌入式肖特基势垒二极管的常关AlGaN / GaN-on-Si电源开关器件
机译:使用兼容CMOS的接触材料在独立式GaN晶片上的1.2 kV GaN肖特基势垒二极管
机译:用于低损耗开关器件的AlGaN / GaN场效应肖特基势垒二极管
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:通过电感耦合等离子体(ICP)和器件特性优化准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)的台面蚀刻
机译:用深层瞬态光谱研究了离子辅助栅极凹陷工艺对alGaN / GaN肖特基势垒二极管GaN沟道的损伤
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:GaN基半导体发光器件,发光器件组件,发光器件,用于制造GaN基半导体发光器件的方法,用于GaN基半导体发光器件的驱动方法和图像显示装置
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译:基于柔性GaN无机材料的光电子学GaN LED器件
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