Yokohama RD Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd 2-4-3, Okano, Nishi-ku, Yokohama, 220-0073, Japan;
机译:具有嵌入式肖特基势垒二极管的常关AlGaN / GaN-on-Si电源开关器件
机译:肖特基势垒降低对嵌入Au纳米粒子的AlGaN / GaN异质结构肖特基势垒二极管的影响
机译:脉冲切换条件下凹陷屏障AlGaN / GaN肖特基二极管的电热 - 机械可靠性
机译:AIGAN / GAN场效应肖特基势垒二极管用于低损耗开关装置
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:双异质结硅衬底上AlGaN / GaN肖特基势垒二极管的理论和实验研究
机译:基于AlGaN:C背势垒的AlGaN / GaN肖特基势垒二极管随偏压变化的动态RON的缓冲阱的识别