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马殿飞; 张健; 唐旸;
华东师范大学,信息学院电子工程系,上海,200241;
硅纳米线; 表面修饰; 肖特基势垒二极管; 伏安特性;
机译:基于氮化InP(100)的肖特基势垒二极管的I-V和C-V特性的电学行为和分析模型
机译:通过基于MIS模型的非理想I-V和C-V测量来表征垂直Mo /金刚石肖特基势垒二极管
机译:I-V方法提取Au / FePc / p-Si肖特基势垒二极管参数的比较研究
机译:InSb IRFPA的I-V温度特性研究
机译:基于砷化铟的肖特基势垒二极管的研究。
机译:用于SiNW太阳能电池应用的a-Si:H / SiNW壳/核
机译:Ag / p-Sn0.2Se0.8薄膜肖特基势垒二极管的随温度变化的I-V特性
机译:扫描瞬态电流研究快速中子辐照的硅探测器中的I-V稳定现象
机译:I-V I-V I-V I-V特征测量装置和太阳能电池的I-V特征测量方法以及记录有I-V特征测量装置的程序的记录介质
机译:SiNW CNT在SiNW阵列上催化垂直对齐的CNT的自由合成
机译:I-V特性测量装置,I-V特性测量方法和用于I-V特性测量装置的程序
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