机译:金属有机气相外延在Si(211)衬底上直接生长高质量CdTe外延层
Nagoya Inst Technol, Grad Sch Engn, Nagoya, Aichi 4668555, Japan;
Si(211) substrates; epitaxial growth; MOVPE; CdTe; MOLECULAR-BEAM EPITAXY; HOT-WALL EPITAXY; LAYERS; DEPOSITION; (111)SI;
机译:通过金属有机气相外延直接在Si(211)衬底上高质量厚CdTe外延层的直接生长,用于核辐射检测和成像。
机译:利用金属有机气相外延在(211)Si衬底上制备高质量(211)B CdTe
机译:使用金属有机气相外延在(211)Si衬底上的高质量(211)B CdTe
机译:(211)B CdZnTe衬底上分子束外延生长HgCdTe的现状
机译:Si衬底取向对通过闭空间升华(CSS)在不使用掩模的情况下对Si(111)和Si(211)衬底上CdTe选择性生长的质量的影响
机译:卤化物气相外延在锥形截肢型蓝宝石衬底上生长的α-GA2O3癫痫脱位的减少
机译:使用AlAs中间层通过金属有机气相外延在GaAs {11n}衬底上生长的六方GaN