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【2h】

Hexagonal GaN grown on GaAs{11n} substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy using AlAs intermediate layers

机译：使用AlAs中间层通过金属有机气相外延在GaAs {11n}衬底上生长的六方GaN

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作者
Funato M; Yamamoto S; Kaisei K; Shimogami K; Fujita S;
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作者单位

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年度 2001
总页数
原文格式 PDF
正文语种 eng
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