机译:GSMBE生长和用于HBT的SiGeC层的结构表征
Univ London Imperial Coll Sci Technol & Med, Blackett Lab, Dept Phys, London SW7 2BW, England;
X-ray diffraction; molecular beam epitaxy; germanium silicon alloys; semiconducting silicon compounds; heterojunction semiconductor devices; SI1-X-YGEXCY ALLOYS; SEGREGATION; SI1-YCY;
机译:生长后退火过程中GSMBE生长的InGaAsP层中Be的重新分布
机译:降低sigec层选择性和非选择性外延生长中负载效应的方法
机译:V / Fe多层膜的生长和结构表征
机译:GSMBE生长SiGeC层及其X射线表征
机译:11-苯氧基十一烷硫醇自组装单层的结构研究及其对Carbon60富勒烯覆盖层生长的影响
机译:牛奶蛋白质微滤过程中沉积层的原位核磁共振和成分分析
机译:使用毯子SIGEC外延生长设计HBT的内在基础工艺