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王晓亮; 孙殿照;
中国科学院半导体研究所材料中心;
氮化镓; 分子束外延; 蓝宝石; 半导体; 外延生长;
机译:NH3-GSMBE在具有AlGaN / AlN缓冲层的Si(111)衬底上GaN的生长和性能
机译:异质结双极晶体管应用中GSMBE生长的Si1-x-yGexCy层的电气和材料表征
机译:掺有铁调制和无意掺杂GaN缓冲的蓝宝石上生长的GaN / AlGaN / AlN / GaN HEMT的比较:材料生长和器件制造
机译:使用GSMBE在矩形图案光栅上InGaAsP材料的过度生长
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:新型2D结构材料:碳镓氮化物(CC-GaN)和硼-氮化镓(BN-GaN)异质结构—通过密度函数进行材料设计理论
机译:GSMBE生长的黄色(5735Å)发射GaInP多量子阱激光器
机译:用于光电器件的原位GsmBE生长监测
机译:用于GaN基半导体的晶体生长的多晶氮化铝基材料以及使用该材料制造GaN基半导体的方法
机译:用于GaN基半导体的晶体生长的多晶铝氮化物基材料以及使用该材料制造GaN基半导体的方法
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