机译:异质结双极晶体管应用中GSMBE生长的Si1-x-yGexCy层的电气和材料表征
Univ Liverpool, Dept Elect & Elect Engn, Liverpool L69 3GJ, Merseyside, England;
MINORITY-CARRIER LIFETIME; DIFFUSION LENGTH; MOS CAPACITOR; ALLOYS; FILMS; HETEROSTRUCTURES; HETEROLAYERS; SI1-XGE(X);
机译:GSMBE生长在In_0.49Ga_0.51P / G / GaAs异质结双极晶体管中,该晶体管具有重掺杂铍的基极和未掺杂的垫片
机译:GSMBE生长(GaIn)P / GaAs异质结双极晶体管,电流增益高达590
机译:金属有机化学气相沉积和分子束外延生长碳掺杂基层的InP / InGaAs异质结双极晶体管的特性
机译:GSMBE成长IN_(0.49)GA_90.51)P / GAAS异质结双极晶体管,具有严重铍掺杂基底和未掺杂的间隔物
机译:具有砷化铟镓发射极层的异质结双极晶体管的钯-锗欧姆接触制造和表征。
机译:对CVD生长的单层MoS2场效应晶体管的电学特性的环境影响
机译:高分辨率x射线衍射在线表征异质结双极晶体管基极层
机译:用于大功率开关应用的siC双极晶体管和GaN异质结双极晶体管的探索性开发。