GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为

刘超; 高兴国; 李建平; 曾一平; 李晋闽

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GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为

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在SIMOXSOI超薄硅衬底上外延生长了高质量SiGe合金薄膜来制备SGOI(SiGeoninsulator)样品,并研究了其在1050℃氧化气氛中的高温退火行为.用Raman,DCXRD,RBS和光学显微镜等分析手段对SGOI样品在退火前后的性能进行了表征.分析结果表明:SGOI样品表面的穿透位错密度约为5×105cm-2;高温退火处理可以促进SGOI样品中异质外延生长SiGe合金薄膜的弛豫化和超薄Si夹层向SiGe合金薄膜的转化,进一步提高SiGe薄膜的晶体质量,并且有助于获得高Ge组分的SGOI材料.

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来源
《半导体学报》 |2005年第6期|1149-1153|共5页
作者
刘超; 高兴国; 李建平; 曾一平; 李晋闽;
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作者单位

中国科学院半导体研究所材料中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN405.984;
关键词
MBE; 绝缘体上硅锗; 退火行为;

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