法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-18
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/06 授权公告日:20170208 终止日期:20181027 申请日:20141027
专利权的终止
2017-02-08
授权
授权
2017-02-08
授权
授权
2015-02-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/06 申请日:20141027
实质审查的生效
2015-02-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20141027
实质审查的生效
2015-01-28
公开
公开
2015-01-28
公开
公开
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机译: 具有外延生长的层的退火以形成具有低位错密度的半导体结构的半导体方法
机译: 循环退火在图形结构上生长Ge外延层的方法
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