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苏栓; 李艳辉; 周旭昌; 杨春章; 谭英; 高丽华; 李全保;
昆明物理研究所,云南,昆明,650223;
分子束外延(MBE); 原位退火; Hg1-χCdχTe; 汞束流; 电学性能;
机译:Hg在CdTe(211)B / Si(211)上的吸附及HgCdTe(211)B的分子束外延生长的原位椭偏研究
机译:用于CdTe和Hg基材料分子束外延生长的原位监测的反射和光反射
机译:CdTe缓冲层上生长的原位退火Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te外延层的微观结构和电学性质对退火温度和Hg细胞通量的依赖性
机译:低温退火对分子束外延生长异质结构p-HgCdTe性能的影响
机译:原位热退火工艺对脉冲激光沉积制造CDS Cdte薄膜太阳能电池结构,光学和电性能的影响
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:溶液HNO3-HI-甘油的组成对CdTe和ZnхCd1-хTe和CdхHg1-хTe固溶体化学蚀刻过程的影响
机译:分子束外延生长HgCdTe / si层的非原位热循环退火。
机译:这是单晶xcdxte hg1-
机译:分子束外延生长的高功率效率,大基板,多晶CDTE薄膜半导体光电电池结构,可用于太阳能发电
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