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Edwa.DD; 贡树行;
不详;
载流子; 迁移率; 汞镉碲; 分子束外延生长;
机译:使用界面HgTe / CdTe超晶格层在CdZnTe衬底上HgCdTe分子束外延生长的性能和可重复性增强
机译:分子束外延生长汞镉的光致发光:HGCDTE / GAAS和HGCDTE / SI技术的比较
机译:基于分子束外延生长的HgCdTe nBn结构的金属-绝缘体-半导体系统的电容特性
机译:使用辐射底物加热的高产量HgCdTe分子束外延生长技术
机译:分子束外延生长的III氮化物材料,用于高功率和高温应用:成核动力学对材料和器件结构质量的影响。
机译:金属-半导体接触对HgCdTe光伏探测器的瞬态光伏特性的影响
机译:改进了HGCDTE探测器材料,过程和用于GUD和Tiros Satelites的设备的表征和评估测量
机译:改进的分子束外延生长HgCdTe。
机译:确定塑性变形条件下粉状材料技术特性的方法
机译:可重复使用的真空加压袋,利用袋材料的表面张力特性作为可重复使用的密封件,用于重复性高压应用
机译:改善故障情况下多机飞行特性的方法和故障情况下具有改进后的飞行特性的多机
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