机译:用于CdTe和Hg基材料分子束外延生长的原位监测的反射和光反射
Department of Physics, West Virginia University, Morgantown, WV 26507;
HgCdTe; in-situ characterization; molecular beam epitaxy (MBE); metalorganic molecular beam epitaxy (MOMBE); reflectance; photoreflectance;
机译:在GaAs(100)衬底上使用高质量CdTe(100)膜对InSb / CdTe和PbTe / CdTe异质体系进行分子束外延生长
机译:在GaAs(100)衬底上使用高质量CdTe(100)膜对InSb / CdTe和PbTe / CdTe异质体系进行分子束外延生长
机译:使用高质量CDTE(100)薄膜在GaAs(100)基板上的分子束外延生长INSB / CDTE和PBTE / CDTE异质系统
机译:CdTe及其相关的Ⅱ-Ⅵ材料在Si上的分子束外延生长,用于制造红外探测器和太阳能电池
机译:气体源分子束外延生长和表征(铝,铟,镓)氮化物磷化/磷化镓材料系统及其在发光二极管中的应用。
机译:分子束外延法原位外延生长石墨烯/ h-BN范德华异质结构
机译:激光照射和高能电子对CdTe分子束外延生长的影响
机译:HgCdTe,HgZnTe,相关异质结和HgCdTe-CdTe超晶格的分子束外延生长,表征和电子器件加工。