机译:94GHz f_T,0.4dB NF_(min)HBT,具有优化的Si电容和使用毯状SiGeC外延的非本征基极
机译:自对准SiGe HBT中选择性外延生长的外在基础结构分析
机译:自对准SiGe HBT中选择性外延生长的外在基础结构分析
机译:180 GHz f_T和f_(max)自对准SiGeC HBT,使用基极的选择性外延生长
机译:用于降低磷化铟HBT中的基极-集电极寄生效应的制造工艺和外延生长技术。
机译:通过RPCVD在低温下基于高质量的Si基外延生长的过程步骤
机译:具有完全硅化镍的非本征基极的SiGeC HBT的基极电阻缩放