机译:使用Li-Al-N溶剂生长AlN的可能性
Research Institute for Applied Mechanics, Kyushu University, 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, Japan PRESTO, Japan Science and Technology Agency, 4-1-8 Honcho Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan;
rnResearch Institute for Applied Mechanics, Kyushu University, 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, Japan;
A2. Growth from solutions; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-N materials;
机译:使用Al和Li_3N的AlN溶液生长的可能性
机译:Cr-Co-Al溶剂中单晶AlN的高速溶液生长
机译:常压氮气下使用Cu溶剂固溶生长AlN单晶
机译:高质量AlInN / GaN超晶格和GaN上无裂纹AlN的晶体生长:它们具有高电子迁移率晶体管的可能性
机译:块状AlN单晶衬底上的富铝AlGaN和AlN生长
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:具有纳米级厚的Aln成核层对基于Algan的深紫外发光二极管的纳米级厚的Aln成核膜的高质量和无裂缝Aln膜的异质生长
机译:alN涂层siC衬底上alN单晶的升华生长。阶段1