机译:具有任意晶体取向和应变工程的CMOS晶体管的半经典传输模型
DIEGM, University of Udine, Udine, Italy;
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DIEGM, University of Udine, Udine, Italy;
DIEGM, University of Udine, Udine, Italy;
DIEGM, University of Udine, Udine, Italy;
electron transport; hole transport; CMOS transistors; crystal orientations; strain engineering;
机译:具有方向性和应变增强迁移率的CMOS晶体管的高传输Si / SiGe异质结构
机译:具有方向性和应变增强迁移率的CMOS晶体管的高传输Si / SiGe异质结构
机译:具有方向性和应变增强迁移率的CMOS晶体管的高传输Si / SiGe异质结构
机译:任意方向和应变对围栅晶体管的影响
机译:应变对硅CMOS晶体管的影响:阈值电压,栅极隧穿电流和1 / f噪声特性。
机译:使用偏振拉曼光谱法精确表征单晶场效应晶体管中的分子取向
机译:基于电荷的MOS晶体管模型中的量子效应建模,用于模拟纳米级CMOS模拟电路