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包括具有增加的应变诱发源及紧密间隔的金属硅化物区的NMOS晶体管与PMOS晶体管的CMOS装置

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在一种CMOS制造工艺流程中，在用来界定漏极与源极区(154)的整体注入序列期间，可维持形成在栅极电极材料(151A)顶部上的覆盖层(151C)，且该覆盖层(151C)可在蚀刻工艺期间被移除，其中，在该蚀刻工艺期间可缩减侧壁间隔件结构(155)的宽度，以便缩短金属硅化物区(156)及应变介电材料的横向偏移。因此，可在得到整体经加强的晶体管效能的同时，也对于现有的CMOS工艺策略提供高度的兼容性。

著录项

公开/公告号CN102217050A

专利类型发明专利
公开/公告日2011-10-12

原文格式PDF
申请/专利权人格罗方德半导体公司;
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申请/专利号CN200980146108.9
发明设计人 J·豪恩舍尔;R·马尔芬格;U·格里布诺;
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申请日2009-09-30
分类号H01L21/336;H01L21/8238;H01L21/8234;H01L29/78;
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址英国开曼群岛
入库时间 2023-12-18 03:30:17

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-04-02

专利权的视为放弃 IPC(主分类):H01L21/336 放弃生效日:20111012 申请日:20090930

专利权的视为放弃
2011-11-30

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20090930

实质审查的生效
2011-10-12

公开

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1. 包括具有增加的应变诱发源及紧密间隔的金属硅化物区的NMOS晶体管与PMOS晶体管的CMOS装置 [P] . 中国专利： CN102217050A . 2011-10-12
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4. CMOS DEVICE COMPRISING NMOS TRANSISTORS AND PMOS TRANSISTORS HAVING INCREASED STRAIN-INDUCING SOURCES AND CLOSELY SPACED METAL SILICIDE REGIONS [P] . 美国专利： US2010078735A1 . 2010-04-01

机译：包含NMOS晶体管和PMOS晶体管的CMOS器件，其应变感应源和间距接近的金属硅化物区域增加了
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