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包括具有凹陷漏极与源极区及非保形金属硅化物区的MOS晶体管的CMOS器件

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摘要

具有凹陷漏极与源极组构的晶体管(150)中的非保形金属硅化物层(156)对于应变引发机制、漏极/源极电阻等可以提供增强的效率。为了此目的，在某些情况中，非晶化注入制造方法可以在硅化制造方法之前予以执行，而在其它情况中，可以使用非等向性沉积耐火金属(156)。

公开/公告号CN102077321A

专利类型发明专利
公开/公告日2011-05-25

原文格式PDF
申请/专利权人先进微装置公司;
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申请/专利号CN200980125492.4
发明设计人 J·霍尼舒尔;U·格里布诺;A·魏;
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申请日2009-06-30
分类号H01L21/265;H01L21/336;H01L21/8238;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/45;H01L29/78;H01L29/786;
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-18 02:30:29

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-06-01

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/265 申请公布日:20110525 申请日:20090630

发明专利申请公布后的驳回
2011-07-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/265 申请日:20090630

实质审查的生效
2011-05-25

公开

公开

1. 包括具有凹陷漏极与源极区及非保形金属硅化物区的MOS晶体管的CMOS器件 [P] . 中国专利： CN102077321A . 2011-05-25
2. NMOS晶体管具有凹陷的漏极与源极区而PMOS晶体管的漏极与源极区具有硅/锗材料的CMOS器件 [P] . 中国专利： CN101971325A . 2011-02-09
3. CMOS device with a MOS transistor having a recessed drain and source regions as well as non-conformal metal suicide region [P] . 日本专利： JP5537546B2 . 2014-07-02

机译：具有具有凹陷的漏极和源极区以及非共形的金属硅化物区的MOS晶体管的CMOS器件
4. CMOS device comprising MOS transistors with recessed drain and source areas and non-conformal silicide regions [P] . 英国专利： GB201021256D0 . 2011-01-26

机译：包括具有凹陷的漏极和源极区域以及非共形硅化物区域的MOS晶体管的CMOS器件
5. CMOS device comprising MOS transistors with recessed drain and source areas and non-conformal silicide regions [P] . 英国专利： GB2473568A . 2011-03-16

机译：包括具有凹陷的漏极和源极区域以及非共形硅化物区域的MOS晶体管的CMOS器件