具有应变沟道CMOS晶体管的结构及其制造方法

摘要

本发明提供了这样的结构和方法，其中p-型场效应晶体管(PFET)和n-型场效应晶体管(NFET)每个都具有在第一半导体的单晶层中设置的沟道区，一应力以第一量值施加给PFET的沟道区，但不施加给NFET的沟道区。通过与第一半导体晶格失配的第二半导体施加该应力。第二半导体的层以距PFET的沟道区第一距离形成在PFET的源极区和漏极区和延伸区上，并以距NFET的沟道区的更大的第二距离形成在NFET的源极区和漏极区上，或者在NFET中根本不形成。