机译:双金属四栅极(DMQG)MOSFET的准3D亚阈值电流和亚阈值摆幅模型
Natl Inst Technol, Dept Elect & Commun Engn, Rourkela 769008, India;
ShriRamswaroop Mem Univ, Fac Elect & Commun Engn, Barabanki 22503, UP, India;
Natl Inst Technol, Dept Elect & Commun Engn, Rourkela 769008, India;
Dual-metal quadruple-gate (DMQG) MOSFETs; Effective number of gates (ENGs); Virtual cathode; Subthreshold current and subthreshold swing;
机译:四栅极(QG)MOSFET的准3D亚阈值摆动模型
机译:考虑到超薄双金属四极栅(DMQG)MOSFET中的量子限制效应的亚阈值特性分析模型
机译:双金属四端栅极(DMQG)MOSFET的阈值电压造型
机译:适用于全耗尽四栅极(FDQG)MOSFET的新型准3D亚阈值电流/摆幅模型
机译:使用BSIM3v3进行超低功耗电路设计的MOSFET亚阈值区域建模。
机译:具有接近理想亚阈值斜率的GaN纳米线MOSFET
机译:硅锗(SiGe)MOSFET上的双材料栅极(DMG)应变硅(s-Si)的二维(2D)亚阈值电流和亚阈值摆幅模型。
机译:辐照mOsFET中固定和界面陷阱电荷分离的亚阈值技术