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机译:叠层双材料双栅极(DMDG)FinFET的二维(2D)分析表面电势和亚阈值电流模型
MNNIT, Dept Elect & Commun Engn, Allahabad 211004, Uttar Pradesh, India;
MNNIT, Dept Elect & Commun Engn, Allahabad 211004, Uttar Pradesh, India;
MNNIT, Dept Elect & Commun Engn, Allahabad 211004, Uttar Pradesh, India;
Drain-induced barrier lowering (DIBL); Dualmaterial double-gate (DMDG); FinFET; Short-channel effects (SCEs); Subthreshold current; Underlap;
机译:用于模拟/ RF应用的重叠双材料双栅极(DMDG)MOSFET的二维(2D)分析亚阈值摆幅和跨导模型
机译:二维(2D)分析建模和改进的分级通道栅极堆叠(GCGS)双材料双栅极(DMDG)MOSFET的简短信道性能
机译:分级通道栅极堆叠的表面电位建模(GCG)高k电介质双材料双栅极(DMDG)MOSFET和模拟/射频性能研究
机译:双材料双栅极MOSFET的电势和亚阈值摆幅的解析模型
机译:基于二维分析栅极电流模型,优化SST SuperFlash单元的编程速度和均匀性。
机译:单轴应变对双栅石墨烯纳米带场效应晶体管性能影响的分析模型
机译:硅锗(SiGe)MOSFET上的双材料栅极(DMG)应变硅(s-Si)的二维(2D)亚阈值电流和亚阈值摆幅模型。