机译:二维(2D)分析建模和改进的分级通道栅极堆叠(GCGS)双材料双栅极(DMDG)MOSFET的简短信道性能
Motilal Nehru Natl Inst Technol Allahabad Dept Elect &
Commun Engn Allahabad 211004 Uttar Pradesh India;
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Dual-material gate (DMG); Drain induced barrier lowering (DIBL); Double-gate (DG); Graded-channel gate-stack (GCGS); Short channel effects (SCEs);
机译:二维(2D)分析建模和改进的分级通道栅极堆叠(GCGS)双材料双栅极(DMDG)MOSFET的简短信道性能
机译:用于模拟/ RF应用的重叠双材料双栅极(DMDG)MOSFET的二维(2D)分析亚阈值摆幅和跨导模型
机译:渐变通道双材料双栅极MOSFET阈值电压的二维分析建模
机译:短通道三重材料门堆栈SOI MOSFET的新二维分析模型
机译:双栅极MOSFET中短沟道效应的分析模型。
机译:单轴应变对双栅石墨烯纳米带场效应晶体管性能影响的分析模型
机译:短沟道无结双栅mOsFET的二维分析模型
机译:建模用于VLsI的短沟道mosfet