机译:用于模拟/ RF应用的重叠双材料双栅极(DMDG)MOSFET的二维(2D)分析亚阈值摆幅和跨导模型
Department of Electronics & Communication Engineering, Motilal Nehru National Institute of Technology (MNNIT), Allahabad 211004, India;
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Analog/RF parameters; Dual-metal double-gate (DMDG); Short channel effects (SCEs); Subthreshold swing (SS); Transconductance (g_m); Underlap;
机译:叠层双材料双栅极(DMDG)FinFET的二维(2D)分析表面电势和亚阈值电流模型
机译:二维(2D)分析建模和改进的分级通道栅极堆叠(GCGS)双材料双栅极(DMDG)MOSFET的简短信道性能
机译:分级通道栅极堆叠的表面电位建模(GCG)高k电介质双材料双栅极(DMDG)MOSFET和模拟/射频性能研究
机译:双材料双栅极MOSFET的电势和亚阈值摆幅的解析模型
机译:用于低压集成电路应用的双栅CMOS设计和分析,包括绝缘体上硅MOSFET的物理建模。
机译:单轴应变对双栅石墨烯纳米带场效应晶体管性能影响的分析模型
机译:硅锗(SiGe)MOSFET上的双材料栅极(DMG)应变硅(s-Si)的二维(2D)亚阈值电流和亚阈值摆幅模型。
机译:二维分析井模型,应用于地圈水流和地圈内的对流输运模型