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机译:GaAs衬底上单晶GaP气相生长的光学和电学性质
机译:衬底取向错误对(111)B GaAs分子束外延生长InGaAs / GaAs单应变量子阱的光学和结构性质的影响
机译:MOVPE在GaAs(001)衬底上生长的InGaAsP混溶间隙固溶体的光学和结构性质
机译:在预先形成图案的GaAs衬底上生长的单点控制InGaAsN量子线的磁光特性
机译:(In,Ga)As / GaP量子点和(GaAsPN / GaPN)稀释的氮化物纳米层的结构和光学性质相干生长在GaP和Si衬底上,用于光子学和光伏应用
机译:通过高压化学气相沉积和ZGP单晶的高压化学气相沉积和振动研究生长的氮化铟外膜的光学和结构性
机译:通过分子束外延生长在Si(111)衬底上生长的Au催化的GaAs纳米线的电和光学性质
机译:(In,Ga)As / GaP量子点和(GaAsPN / GaPN)稀释的氮化物纳米层的结构和光学性质相干生长在GaP和Si衬底上,用于光子学和光伏应用
机译:使用siGe缓冲层在si衬底上生长的单结InGap / Gaas太阳能电池