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METHOD FOR IMPROVING THE OPTICAL CLARITY OF A SINGLE CRYSTAL DIAMOND GROWN BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

机译:化学气相沉积改善单晶钻石光学清晰度的方法

摘要

A single crystal diamond grown by microwave plasma chemical vapor deposition annealed at pressures in excess of 4.0 GPa and heated to temperature in excess of 1500 degrees C. that has a hardness of greater than 120 GPa. A method for manufacture a hard single crystal diamond includes growing a single crystal diamond and annealing the single crystal diamond at pressures in excess of 4.0 GPa and a temperature in excess of 1500 degrees C. to have a hardness in excess of 120 GPa.
机译:通过微波等离子体化学气相沉积法生长的单晶金刚石在超过4.0 GPa的压力下退火,并加热到超过1500摄氏度的温度,其硬度大于120 GPa。用于制造硬质单晶金刚石的方法包括:生长单晶金刚石,并在超过4.0 GPa的压力和超过1500℃的温度下对单晶金刚石进行退火,以使其硬度超过120 GPa。

著录项

  • 公开/公告号IL173102B

    专利类型

  • 公开/公告日2012-11-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CARNEGIE INSTITUTION OF WASHINGTON;

    申请/专利号IL173102

  • 发明设计人

    申请日2006-01-12

  • 分类号C30B7/00;C30B21/02;C30B23/00;C30B25/00;C30B25/10;C30B28/06;C30B28/12;C30B28/14;C30B29/04;C30B33/00;C30B33/02;G11B27/034;G11B27/036;G11B27/10;G11B27/11;G11B27/34;H04N5/76;H04N5/765;H04N5/775;H04N5/781;H04N9/804;H04N9/82;

  • 国家 IL

  • 入库时间 2022-08-21 16:41:40

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