机译:通过化学汽相沉积并在1100至1900 K之间退火的多晶金刚石薄膜的EPR和光学研究
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机译:通过微波等离子体化学气相沉积法生长的多晶金刚石薄膜的场发射。二。 p型掺杂在金刚石中的作用
机译:使用TiN或阳极氧化铝表面纳米结构在多晶化学气相沉积金刚石基板上通过氢化物气相外延生长的GaN外延膜
机译:退火至1100 K和1900 K之间的成膜多晶金刚石和金刚石薄膜的EPR和光学研究
机译:多晶和同质外延金刚石膜的热等离子体化学气相沉积(CVD)。
机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构电学和光学性质的影响
机译:等离子体增强化学气相沉积的炉子和闪光灯退火硅薄膜的比较研究