机译:等离子体增强化学气相沉积法制备的炉膛和闪光灯退火硅薄膜的比较研究
机译:催化化学气相沉积制备的前驱体非晶硅薄膜的闪光灯退火形成的高质量载流子寿命在5μs以上的多晶硅薄膜
机译:微波等离子体化学气相沉积和热丝化学气相沉积技术在硅衬底上生长金刚石薄膜的比较研究
机译:常规等离子增强化学气相沉积薄膜晶体管生长的低温(75℃)氢化纳米晶硅薄膜
机译:等离子体增强了硅薄膜的化学气相沉积:利用等离子体诊断技术表征不同频率和气体成分下的薄膜生长。
机译:常压等离子体化学气相沉积法生长掺锌铜的抗菌氧化硅薄膜
机译:通过等离子体增强化学气相沉积制备的氧化硅膜的退火和氧化