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机译:GaN Moscaps的反向分解研究及其在垂直CAN电力设备中的影响
Univ Calif Santa Barbara Dept Elect & Comp Engn Santa Barbara CA 93016 USA;
Univ Calif Santa Barbara Dept Mat Santa Barbara CA 93016 USA;
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机译:GaN MOSCAP的反向击穿研究及其对垂直CaN功率器件的影响
机译:具有源极连接场板的高击穿电压GaN基电流孔径垂直电子晶体管的研究
机译:具有电源应用界面电荷工程的高击穿电压GaN基垂直场效应晶体管的研究
机译:低导通电阻和高击穿电压的功率AlGaN / GaN垂直HEMT器件的优化
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷
机译:垂直GaN单极装置的击穿电压和特定导通电阻的分析模型