Si上AlGaN/GaN异质结构中垂直漏电致电流退化效应研究

摘要

Si上AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在高压功率器件中具有重要的应用前景.然而,由于器件高压过程中载流子的俘获效应,GaN基器件的可靠性仍存在问题.关态工作条件下,HEMT器件漏端与衬底之间存在很大垂直电压,已有研究表明此垂直电压应力会导致严重的电流崩塌效应,但其具体机制尚存在争议.本工作利用Si上AlGaN/GaN异质结构确认了垂直电压下垂直漏电致电流退化效应的机制,并表征出相关局域态是伴随大晶格弛豫的缺陷态,判定其可能与位错相关.