一种高击穿电压低反向漏电的垂直GaN肖特基器件结构

摘要

本发明公开了一种高击穿电压低反向漏电的垂直GaN肖特基器件结构，包括第一导电类型高掺杂GaN层、第一导电类型低掺杂GaN层、第二导电类型NiO填充层、SiO₂与Si₃N₄混合介质层、浮空金属场板、欧姆阴极和肖特基阳极、蓝宝石衬底和AlN成核层。本发明提到的器件结构运用了两步刻蚀工艺，克服了深刻蚀技术的操作性难题；设计的第二导电类型NiO填充层克服了GaN材料第二导电类型掺杂的技术难题，有效屏蔽高电场、保护肖特基势垒从而有效降低了器件的反向漏电流；设计的多场板结构有效利用了两步刻蚀工艺带来的高场板接触面积优势，削弱了器件的边缘电场集中效应，有效提高了器件的反向击穿电压。