Accelerated life tests ; Bias ; Capacitors ; Degradation ; Electric potential ; Tantalum ; Tantalum oxides ; Electrode materials ; Semiconductors(Materials) ; Sintering ; Pyrolysis;
机译:固态钽电容器中的闪烁和浪涌电流击穿电压
机译:正偏压温度应力下n-4H-SiC MOS电容器的漏电流传导,空穴注入和时间相关的介电击穿
机译:TiN,TaN和W_xN作为SiO_2上Cu的扩散阻挡层:偏置温度应力后的电容电压,泄漏电流和三角电压扫描
机译:反向偏置应力对固体钽电容器泄漏电流和击穿电压的影响
机译:研究聚合物钽电容器中的击穿前电流。
机译:A-Ingazno薄膜晶体管中光漏电流和负偏压照明应力的退火诱导稳定性的定量分析
机译:钽和氧化铌电容器中离子漂移和扩散引起的漏电流降解