Room temperature ferromagnetism in Mn- and Fe-doped indium tin oxide thin films

M. Venkatesan; R. D. Gunning; P. Stamenov; J. M. D. Coey

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Room temperature ferromagnetism in Mn- and Fe-doped indium tin oxide thin films

机译：Mn和Fe掺杂的铟锡氧化物薄膜中的室温铁磁性

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Undoped and transition-metal doped indium tin oxide films have been grown by pulsed laser deposition technique, on single crystalline c-plane (0001) and r-plane (1102) sapphire substrates maintained at 500-850℃. Magnetization measurements of films deposit

机译：通过脉冲激光沉积技术，在保持在500-850℃的单晶c面（0001）和r面（1102）蓝宝石衬底上生长了无掺杂和过渡金属掺杂的氧化铟锡薄膜。薄膜沉积的磁化测量

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来源
《Journal of Applied Physics》 |2008年第2期|933-935|共3页
作者
M. Venkatesan; R. D. Gunning; P. Stamenov; J. M. D. Coey;
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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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