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An Analytical Model For The Capacitance Between Probe Tip And Dielectric Film Deduced By High-frequency Electromagnetic-field Simulations

机译:高频电磁场模拟推导的探针尖端与介电膜电容的解析模型

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摘要

An analytical model for the capacitance between a probe tip and a dielectric film is presented based on the high-frequency electromagnetic-field simulation of the three-dimensional tip and dielectric film system. We examined the effects of the probe-tip geometry and film properties on the tip-sample capacitance and deduced empirically the analytical model expressed by a simple logarithmic dependence on the tip-film distance, Z. Furthermore, the parameters in the analytical model could describe the probe-tip shape, dielectric permittivity, and film thickness. Based on these results, we discuss the capabilities to probe quantitatively the nanoscale dielectric properties of a thin film.
机译:基于三维尖端与介电膜系统的高频电磁场仿真,提出了探针与介电膜之间电容的解析模型。我们检查了探针尖端几何形状和膜特性对尖端样品电容的影响,并通过经验推导了对尖端膜距离Z的简单对数依赖性表示的分析模型。此外,分析模型中的参数可以描述探针的形状,介电常数和膜厚。基于这些结果,我们讨论了定量探测薄膜纳米级介电性能的能力。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |2009年第4期|488-493|共6页
  • 作者

    Y. Naitou; A. Yasaka; N. Ookubo;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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