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薄膜电容元件用组合物、高介电常数绝缘膜、薄膜电容元件、薄膜积层电容器及薄膜电容元件的制造方法

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c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，由组成式：(Bi

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公开/公告号CN1761776A

专利类型发明专利
公开/公告日2006-04-19

原文格式PDF
申请/专利权人 TDK株式会社;
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申请/专利号CN200480007724.3
发明设计人坂下幸雄;
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申请日2004-01-16
分类号C30B29/22;C01G29/00;C04B35/01;H01G4/12;H01B3/12;H01L27/04;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人孙秀武
地址日本东京都
入库时间 2023-12-17 17:12:18

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2007-10-03

发明专利申请公布后的视为撤回

发明专利申请公布后的视为撤回
2006-06-07

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-04-19

公开

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