...
机译:反应离子刻蚀在n型和p型4H-SiC中引起的深能级
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, Japan;
Lehrstuhl fiir Angewandte Physik, Universitat Erlangen- Nuernberg, Staudtstr. 7/A3, D-91058 Erlangen, Germany;
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, Japan;
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, Japan;
机译:减少离子注入n型和p型4H-SiC中产生的深能级
机译:n型和p型4H-SiC中离子注入产生的深能级的检测和深度分析
机译:深能级瞬态光谱法研究n型和p型4H-SiC外延层中的中间能级
机译:在n型和p型4H-SiC中观察到反应离子腐蚀引起的深能级
机译:使用灰度光刻和深反应离子刻蚀开发深硅相菲涅耳透镜
机译:照明对不同掺杂水平的p型硅光辅助刻蚀形成多孔硅的影响
机译:反应离子刻蚀在n型和p型4H-SiC中引起的深能级