机译:深能级瞬态光谱法研究n型和p型4H-SiC外延层中的中间能级
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyotodaigaku-katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, Japan;
机译:生长和电子辐照的p型4H-SiC外延层的深层瞬态光谱
机译:生长的P型4H-SiC外延层上的高温深层瞬态光谱
机译:肖特基势垒高度对深能级瞬态光谱法检测4H-SiC中能级的影响
机译:通过深度瞬时光谱研究的电子照射的N-和P型4H-SiC中的深度水平
机译:用深层瞬态光谱法(DLTS)表征4H-SiC的缺陷及其对器件性能的影响
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
机译:深能级瞬态光谱法研究n型和p型4H-SiC外延层中的中间能级