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机译:通过等离子体辅助分子束外延对硅(111)上的AIGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构进行应变控制
Fraunhofer-Institute for Applied Solid State Physics, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, Germany;
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机译:等离子体辅助分子束外延技术在100 mm直径Si(111)上演示AIGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:使用氨分子束外延在100-mm Si(111)上生长和表征AIGaN / GaN / AIGaN双异质结高电子迁移率晶体管
机译:通过等离子分子束外延在100 mm硅衬底上的AIGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:GaN缓冲层厚度对等离子辅助分子束外延技术在Si(111)衬底上生长的AlGaN / GaN基高电子迁移率晶体管结构的结构和光学性能的影响
机译:通过射频等离子体辅助分子束外延生长(铟,铝)氮化镓合金,以用于高电子迁移率晶体管结构。
机译:等离子体辅助分子束外延通过液滴外延对Si(111)上的GaN纳米点进行表征和密度控制
机译:等离子体辅助分子束外延通过液滴外延对Si(111)上的GaN纳米点进行表征和密度控制
机译:分子束外延生长的alGaN / GaN高电子迁移率晶体管中陷阱的光电离光谱;杂志文章