机译:在Si(111)异质结构上密集堆积的GaN纳米棒中观察到的势垒高度的双高斯分布
Materials Research Centre, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India;
Materials Research Centre, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India;
Materials Research Centre, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India;
Materials Research Centre, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India, Central Research Laboratory, Bharat Electronics, Bangalore 560013, India;
Materials Research Centre, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India;
机译:在Si(111)异质结构上密集堆积的GaN纳米棒中观察到的势垒高度的双高斯分布
机译:InN / AlN / Si(111)异质结构的势垒高度和自供电红外光响应的双高斯分布
机译:Se / n-GaN肖特基势垒二极管中非均匀势垒高度的电学性质和双高斯分布
机译:Ru / Pt / N-GaN肖特基屏障二极管中的双高斯分布不均匀屏障高度
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:校正:GaN / InGaN双势垒量子阱异质结构中的受限和界面光子发射
机译:石墨烯电极肖氏屏障高度在AlGaN / GaN异质结构上的测定
机译:利用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的负极化特性实现具有深紫外(<250nm)发射的频率倍增蓝绿激光(2年级)。