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【2h】

Determination of Schottky barrier height of graphene electrode on AlGaN/GaN heterostructure

机译：石墨烯电极肖氏屏障高度在AlGaN / GaN异质结构上的测定

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作者
Bhishma Pandit; Jaeho Kim; Jaehee Cho;
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年度 2021
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1. Determination of Schottky barrier height of graphene electrode on AlGaN/GaN heterostructure [J] . Bhishma Pandit, Jaeho Kim, Jaehee Cho AIP Advances . 2021,第4期

机译：石墨烯电极肖氏屏障高度在AlGaN / GaN异质结构上的测定
2. Enhancement of the Schottky Barrier Height using a Nitrogen-Rich Tungsten Nitride Thin Film for the Schottky Contacts on AlGaN/GaN Heterostructures [J] . CHUNG-YU LU, EDWARD YI CHANG, JUI-CHIEN HUANG, Journal of Electronic Materials . 2008,第5期

机译：使用富氮氮化钨薄膜增强AlGaN / GaN异质结构上的肖特基接触，可提高肖特基势垒高度
3. Enhancement of the Schottky Barrier Height using a Nitrogen-Rich Tungsten Nitride Thin Film for the Schottky Contacts on AlGaN/GaN Heterostructures [J] . Chung-Yu Lu, Edward Yi Chang, Jui-Chien Huang, Journal of Electronic Materials . 2008,第5期

机译：使用富氮氮化钨薄膜增强AlGaN / GaN异质结构上的肖特基接触的肖特基势垒高度
4. Schottky Barrier Height in GaN/AlGaN Heterostructures [C] . Anwar, A.F.M., Faraclas, . 2005

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5. Spatial inhomogeneous barrier heights at graphene/semiconductor Schottky junctions. [D] . Tomer, Dushyant. 2016

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7. Graphene as a Schottky Barrier Contact to AlGaN/GaN Heterostructures [O] . Maksym Dub, Pavlo Sai, Aleksandra Przewłoka, 2020

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