机译:使用堆叠式等离子增强化学气相沉积SiO_2 / SiN_x栅极电介质增强多晶硅薄膜晶体管的稳定性
Advanced Technology Institute, Samsung, Giheung, Yongin, Kyoungki 442-391, Korea;
polycrystalline silicon thin-film transistor (poly-Si TFT); mobile charge; gate oxide integrity; silicon dioxide; silicon nitride; contamination;
机译:电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积硅衬底上的SiN_x,SiO_2 / SiN_x和SiO_xN_y介电膜的电导瞬态比较分析
机译:通过低压化学气相沉积增强具有双层SiN_x栅极电介质的GaN晶体管中的栅极堆叠稳定性
机译:采用KRF ELA改进栅极堆叠的LAALO3 / ZRO2铟镓锌氧化物薄膜晶体管,具有新颖的大气压等离子体增强的化学气相沉积技术
机译:栅极电介质化学处理对低压气体辅助有机气相沉积五烯薄膜晶体管的电气特性的影响
机译:用于有源矩阵液晶显示器的非晶硅薄膜晶体管的等离子体增强化学气相沉积问题
机译:电子束沉积栅极电介质对a-IGZO薄膜晶体管的沟道宽度相关性能和可靠性的比较研究
机译:由由等离子体增强的化学气相沉积层堆叠钝化的寿命和表面相关的终身样品中的寿命样本中的寿命样本