增加等离子体增强化学气相沉积电介质薄膜压应力的方法

摘要

本发明提供一种用于形成具有压应力的碳掺杂氮化硅层的方法。该方法包括形成初始层和该初始层上的体层，其中体层的压应力在大约－0.1GPa至约－10GPa之间。初始层由包括含硅和碳的前驱物以及选择性地包括氮和/或氧源但不包括氢气的气体混合物沉积。体层由包括含硅和碳的前驱物、氮源以及氢气的气体混合物沉积。初始层是允许体层的压应力良好地通过传输到底层的薄层，例如晶体管的沟道。