机译:通过低压化学气相沉积增强具有双层SiN_x栅极电介质的GaN晶体管中的栅极堆叠稳定性
Chalmers Univ Technol, Dept Microtechnol & Nanosci, SE-41296 Gothenburg, Sweden;
Hong Kong Univ Sci & Technol, Dept Elect & Comp Engn, Kowloon, Hong Kong, Peoples R China;
Nanjing Univ Sci & Technol, Sch Elect & Opt Engn, Nanjing 210014, Jiangsu, Peoples R China;
机译:具有低压化学气相沉积SiN_x栅极电介质的常关GaN MIS-FET的偏置温度不稳定性
机译:使用堆叠式等离子增强化学气相沉积SiO_2 / SiN_x栅极电介质增强多晶硅薄膜晶体管的稳定性
机译:低压化学气相沉积Si 3 sub> N 4 sub>栅电介质和标准氟离子注入制备的常关型AlGaN / GaN MIS-高电子迁移率晶体管
机译:具有由金属 - 有机化学气相沉积形成的带A1O_X栅极绝缘体的低泄漏和降低的电流折叠Aigan / GaN异质结场效应晶体管
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:大卫·罗伯特·克拉克(David Robert Clark)将冷壁低压化学气相沉积氮化硅用作场效应晶体管的底栅电介质。