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【2h】

Cold-wall low-pressure chemical-vapor-deposited silicon nitride for use as the undergate dielectric in field-effect transistors by David Robert Clark.

机译：大卫·罗伯特·克拉克（David Robert Clark）将冷壁低压化学气相沉积氮化硅用作场效应晶体管的底栅电介质。

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Clark David Robert;
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年度 1981
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