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公开/公告号CN108140415B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-07
原文格式PDF
申请/专利权人 日升存储公司;
申请/专利号CN201680057342.4
发明设计人 E.哈拉里;
申请日2016-07-27
分类号G11C16/04(20060101);G11C11/34(20060101);G11C16/06(20060101);H01L29/792(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人孙瑞
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 12:56:02
机译: 多栅极NOR闪存薄膜晶体管串排列在带有垂直控制栅的堆叠水平有源条中
机译: 设置在堆叠的水平有源条中并具有垂直控制栅的多栅NOR闪存薄膜晶体管串
机译: 置于层压水平活动条上并具有垂直控制栅极的多栅极和闪光薄膜晶体管串
机译:具有有源矩阵显示器的带氢化非晶硅薄膜晶体管的紧凑型解码器型栅极驱动器电路
机译:通过选择性湿蚀刻形成具有ALD TiN / High-K栅极堆叠的带槽栅极pMOSFET
机译:具有三层堆叠式栅极绝缘子的a-InGaZnO薄膜晶体管在柔性电子应用中的可靠性提高
机译:基于垂直堆叠水平Si纳米线的替换金属栅极工艺中的栅极 - 全面MOSFET
机译:栅极平面化和铝栅极完全自对准的非晶硅薄膜晶体管,用于大面积和高分辨率有源矩阵液晶显示器(AMLCD)。
机译:具有TiO2栅极电介质的超薄VO2通道中的正偏置栅极控制的金属-绝缘体过渡
机译:线性对数宽动态范围有源像素传感器,具有负反馈结构,使用具有重叠控制栅极的栅极/正文光电探测器
机译:具有光电探测器的有源像素传感器像素,其输出耦合到输出晶体管栅极