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机译:低k衬底的铜化学机械抛光后清洗工艺的改进
Environmental Technology and Systems Department, Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation, 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, Japan;
low-k; post-Cu-CMP cleaning; hydrophobicity; wettability; surfactant; watermark;
机译:铜双大马士革互连在低k多孔膜上的直接化学机械抛光工艺
机译:采用原位终点检测技术的化学控制化学机械抛光工艺生产的无缺陷单片低k / Cu互连
机译:化学/机械抛光工艺条件下对Cu / low-k技术的分层分析
机译:发展CMP工艺的挑战:STI和铜/低k抛光以及CMP后清洗
机译:在化学机械抛光和晶圆清洁过程中,亚微米颗粒的粘附和去除。
机译:单晶4H-SIC等血浆电解处理和机械抛光的组合
机译:化学 - 机械 - 波兰处理的Gasb(100)衬底的气体团簇离子束平滑
机译:抛光基材表面和涂层光学质量的清洁研究