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机译:原子层沉积的Co(W)膜作为下一代Cu互连的单层阻挡层/衬里
Taiyo-Nippon Sanso Corporation, Tsukuba, Ibaraki 300-2611, Japan,Department of Material Engineering, The University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 163-8656, Japan;
Taiyo-Nippon Sanso Corporation, Tsukuba, Ibaraki 300-2611, Japan;
Department of Material Engineering, The University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 163-8656, Japan;
Department of Material Engineering, The University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 163-8656, Japan;
机译:使用Amidinato前体作为下一代Cu-互连的单层阻挡层/衬里的CVD和ALD Co(W)膜
机译:CVD和ALD Co(W)薄膜中的自组装纳米填充结构作为单层阻挡层/衬里,可用于将来的Cu-互连
机译:二甘醇和三甲基铝前体在分子层沉积的Alucone膜上的生长行为和稳定性的研究,以及原子层沉积的Al2O3封端增强扩散阻挡性能的研究
机译:原子层沉积薄膜作为银艺术品的扩散壁垒的表征
机译:用于银和铜合金文化遗产物体的新型保护涂层,使用原子层沉积的金属氧化物阻挡膜制成。
机译:理想原子层沉积Al2O3隧道开关层改善了掺Mg的LiNbO3薄膜的铁电性能
机译:原子层沉积Al 2 sub> O 3 sub>薄膜增强工程纸的阻隔性能