超深亚微米集成电路Cu互连金属扩散阻挡层制备研究现状

摘要

目前半导体器件特征尺寸缩小到深亚微米级，特别是Cu互连线线宽降至32nm节点，为减少RC信号延迟，制备超薄、低阻、高热稳定性、保形的扩散阻挡层，已经成为当前学术界和工业界共同面临的难点问题。综述了扩散阻挡层材料在制备方法、结构表征和性能提升上的研究进展，指出了现有方法制备扩散阻挡层存在的问题和将来发展的方向。