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MIXED METAL OXIDE BARRIER FILMS AND ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD FOR MAKING MIXED METAL OXIDE BARRIER FILMS

机译:混合金属氧化物阻挡膜和原子层沉积方法制造混合金属氧化物阻挡膜

摘要

The method of forming the thin film barrier layer 100 of a mixed metal oxide such as a mixture of aluminum, titanium, and oxygen (AlTiO) includes a substrate 110 having a surface temperature of 100 ° C. for a halide precursor, an oxygen plasma, and an organic metal precursor. Sequential exposure. Barrier layers formed in this way exhibit improved water vapor permeability over a single metal oxide film and nanolaminates of two metal oxides with similar overall thickness.
机译:由诸如铝,钛和氧的混合物(AlTiO)的混合金属氧化物形成薄膜阻挡层100的方法包括具有用于卤化物前体,氧等离子体的表面温度为100℃的基板110。 ,以及有机金属前体。顺序曝光。以这种方式形成的阻挡层在单个金属氧化物膜上和具有相似整体厚度的两种金属氧化物的纳米层合物上表现出改善的水蒸气渗透性。

著录项

  • 公开/公告号KR102014321B1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-11-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20147000388

  • 发明设计人 디키 에릭 알.;

    申请日2012-07-11

  • 分类号C23C16/50;C23C16/448;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 11:47:56

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