机译:GaAs IC材料和MESFET器件特性的神经网络建模
Air Force Research Laboratory Sensors Directorate Wright-Patterson AFB Ohio 45433-7319;
Department of Computer Science and Engineering University of Louisville Louisville Kentucky 40292;
artificial neural network; microwave; modeling; integrated circuit; yield;
机译:使用简单而准确的分析工具对GaAs MESFET器件的直流特性进行建模
机译:CVD金刚石基底上GaAs MESFET的高温器件性能和热特性
机译:集成CAD环境中GaAs MESFET的物理建模:从器件技术到微波电路性能
机译:GaAs MESFET的负载牵引特性,使用基于物理学的分析性大信号器件模型计算得出
机译:用于低噪声应用的铜/钛金属化GaAs MESFET和HEMT的制造,测试和可靠性建模。
机译:物理信息人工神经网络用于材料的原子建模
机译:集成CAD环境中GaAs MESFET的物理建模:从器件技术到微波电路性能
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录B.用于集成高速逻辑电路的Gaas mEsFET器件的二维建模